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MOS场效应管 STB120NF10
MOS场效应管 STB120NF10
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MOS场效应管 STB120NF10

型号/规格:

STB120NF10

品牌/商标:

ST(意法半导体)

封装形式:

SOT-263

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

MOS场效应管 STB120NF10 产品参数介绍:

制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:D2PAK-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:110 ARds On-漏源导通电阻:10.5 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:2 VVgs - 栅极-源极电压:10 VQg-栅极电荷:172 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:312 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:4.6 mm 长度:10.4 mm 系列:STB120NF10 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 类型:MOSFET 宽度:9.35 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:68 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:90 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:132 ns 典型接通延迟时间:25 ns 单位重量:4 g


MOS场效应管 STB120NF10  供应商介绍:

深圳市廊宇达半导体科技有限公司是多家国际半导体厂商在中国的现货供应商,与各大原厂和代理商都长期保持着密切的合作关系。公司代理分销ST、FAIRCHILD、ON、NS、NUMONYX、MAXIM、TI、ALTERA、XILINX、NXP、CYPRESS等国际半导体产品,业务涉及CPLD/FPGA各种中高低端及现场可编程逻辑技术、高效的DSP数字信号及ARM处理器、PCI总线及USB接口技术、FLASH存储及智能电源管理技术等领域,产品应用覆盖电力安防、网络通讯、工控仪器、汽车电子、消费类电子等行业,合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商、科研院所、高校以及众多的跨国企业。 公司秉承:“诚信为本,品质,顾客至上,持续改进,不断完善” 以水准的服务,实现客户与公司的利益化,在互惠互利的基础上共创双赢


供应MOS场效应管 STB120NF10  供应MOS场效应管 STB120NF10